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2642737CW201212-R33J-Bild.Bourns, Inc.

CW201212-R33J

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CW201212-R33J
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    FIXED IND 330NH 200MA 1.65 OHM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Art
    Wirewound
  • Toleranz
    ±5%
  • Supplier Device-Gehäuse
    0805 (2012 Metric)
  • Größe / Dimension
    0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm)
  • Abschirmung
    Unshielded
  • Serie
    CW201212
  • Bewertungen
    -
  • Q @ Frequenz
    45 @ 250MHz
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    0805 (2012 Metric)
  • Andere Namen
    CW201212-R33J-ND
    CW201212-R33JTR
    CW201212R33J
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Material - Kern
    Ceramic
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Induktivität Frequenz - Test
    100MHz
  • Induktivität
    330nH
  • Höhe - eingesteckt (max)
    0.059" (1.50mm)
  • Frequenz - Eigenresonanz
    800MHz
  • detaillierte Beschreibung
    330nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.65 Ohm 0805 (2012 Metric)
  • DC-Widerstand (DCR)
    1.65 Ohm
  • Aktuelle Bewertung
    200mA
  • Strom - Sättigung
    -
IS42S32800D-75ETLI-TR

IS42S32800D-75ETLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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