AON4407L_003

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Spezifikation

Artikelnummer

AON4407L_003
Hersteller / Marke

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AON4407L_003.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN (3x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN (3x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Ta)

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Das Folgende sind "AON4407L_003" -Einziper.

AON4703

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

AON4407L_003

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