AO9926BL_101

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Spezifikation

Artikelnummer

AO9926BL_101
Hersteller / Marke

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AO9926BL_101.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 7.6A, 10V
Leistung - max

2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.6A

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Das Folgende sind "AO9926BL_101" -Einziper.

SH8K2TB1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

AO9926BL_101

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