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1N4007

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  • Artikelnummer
    1N4007
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N4007MSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N4007
1N4006GPE-M3/73

1N4006GPE-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4007-E3/53

1N4007-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4007-E3/54

1N4007-E3/54

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4007-N-0-1-BP

1N4007-N-0-1-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N4006L-T

1N4006L-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4006T-G

1N4006T-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006TA

1N4006TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
1N4006GPHE3/54

1N4006GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4007-N-0-2-BP

1N4007-N-0-2-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N4007

1N4007

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
1N4007 TR

1N4007 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor Corp
vorrätig
1N4007-B

1N4007-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4006GPHE3/73

1N4006GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4007

1N4007

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006RLG

1N4006RLG

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4007 BK

1N4007 BK

Beschreibung: DIODE GPP 1A 1000V DO41 AXIAL

Hersteller: Central Semiconductor Corp
vorrätig
1N4006RL

1N4006RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4007-G

1N4007-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N4007-E3/73

1N4007-E3/73

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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