ALD212908APAL

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Spezifikation

Artikelnummer

ALD212908APAL
Hersteller / Marke

Advanced Linear Devices, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ALD212908APAL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA
Supplier Device-Gehäuse

8-PDIP
Serie

EPAD®, Zero Threshold™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

10.6V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80mA

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Das Folgende sind "ALD212908APAL" -Einziper.

ALD212904SAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.

vorrätig

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