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Spezifikation

Artikelnummer

ALD110908PAL
Hersteller / Marke

Advanced Linear Devices, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ALD110908PAL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

820mV @ 1µA
Supplier Device-Gehäuse

8-PDIP
Serie

EPAD®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 Ohm @ 4.8V
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Andere Namen

1014-1040
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

10.6V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12mA, 3mA

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Das Folgende sind "ALD110908PAL" -Einziper.

MTSW-225-07-T-S-240

Beschreibung: MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

RFQ

1812Y0500121JFT

Beschreibung: CAP CER 120PF 50V C0G/NP0 1812

Hersteller: Knowles Syfer

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

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