SI2307CDS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Adafruit
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2307CDS-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

88 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SI2307CDS-T1-GE3TR
SI2307CDST1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.5A (Tc)

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Das Folgende sind "SI2307CDS-T1-GE3" -Einziper.

SI2307BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI2307CDS-T1-GE3

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