SFT1431-TL-E

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Spezifikation

Artikelnummer

SFT1431-TL-E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SFT1431-TL-E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TP-FA
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta), 15W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

35V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 35V 11A (Ta) 1W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount TP-FA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "SFT1431-TL-E" -Einziper.

SFT13GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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