SFT1341-C-TL-E

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Spezifikation

Artikelnummer

SFT1341-C-TL-E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK/TP-FA
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

112 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1W (Ta), 15W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 10A (Ta) 1W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DPAK/TP-FA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "SFT1341-C-TL-E" -Einziper.

SFT12GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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