P2N2907AZL1G

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Spezifikation

Artikelnummer

P2N2907AZL1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

P2N2907AZL1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Leistung - max

625mW
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 150mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

600mA
Basisteilenummer

P2N2907

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "P2N2907AZL1G" -Einziper.

P2N2222ARL1G

Beschreibung: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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