NVTFS4823NTAG

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Spezifikation

Artikelnummer

NVTFS4823NTAG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVTFS4823NTAG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 21W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

NVTFS4823NTAG-ND
NVTFS4823NTAGOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 13A (Ta) 3.1W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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