NVMFS6H818NT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVMFS6H818NT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

NVMFS6H818NT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 190µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN, 5 Leads
Andere Namen

NVMFS6H818NT1GOSDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Ta), 123A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NVMFS6H818NT1G" -Einziper.

NVMS4816NR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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