NVMFD5C478NLWFT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVMFD5C478NLWFT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

NVMFD5C478NLWFT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Leistung - max

3.1W (Ta), 23W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

50 Weeks
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 10.5A (Ta), 29A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.5A (Ta), 29A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVMFD5C478NLWFT1G" -Einziper.

NVMFD5C478NT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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