NVMFD5873NLT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVMFD5873NLT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVMFD5873NLT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 15A, 10V
Leistung - max

3.1W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

NVMFD5873NLT1GOSDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVMFD5873NLT1G" -Einziper.

NVMFD5489NLT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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