NVGS4111PT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVGS4111PT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVGS4111PT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (max)

630mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 3.7A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVGS4111PT1G" -Einziper.

IPN95R3K7P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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