NVDD5894NLT4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVDD5894NLT4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVDD5894NLT4G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak 5-Lead
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 50A, 10V
Leistung - max

3.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2103pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 40V 14A 3.8W Surface Mount D-Pak 5-Lead
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14A

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVDD5894NLT4G" -Einziper.

NVD5C632NLT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 29A 155A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NVDD5894NLT4G

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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