NVATS5A112PLZT4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVATS5A112PLZT4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVATS5A112PLZT4G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ATPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

43 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

48W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NVATS5A112PLZT4G-ND
NVATS5A112PLZT4GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 27A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount ATPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

27A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVATS5A112PLZT4G" -Einziper.

STH410N4F7-6AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V H2PAK-6

Hersteller: STMicroelectronics

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