NTMKE4892NT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMKE4892NT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMKE4892NT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

5-ICEPAK
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4270pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 26A (Ta), 148A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

26A (Ta), 148A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTMKE4892NT1G" -Einziper.

NTMS3P03R2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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