NTMFS4C35NT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFS4C35NT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMFS4C35NT3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

780mW (Ta), 33W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12.4A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTMFS4C35NT3G" -Einziper.

NTMFS4C302NT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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