NTMFS4825NFET1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFS4825NFET1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMFS4825NFET1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max)

950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN, 5 Leads
Andere Namen

NTMFS4825NFET1GOSDKR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5660pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Ta), 171A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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NTMFS4833NAT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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