NTMFD4C86NT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFD4C86NT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMFD4C86NT3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN (5x6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 30A, 10V
Leistung - max

1.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1153pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.3A, 18.1A

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTMFD4C86NT3G" -Einziper.

NTMFD4C50NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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