NTMD4820NR2G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMD4820NR2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMD4820NR2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 7.5A, 10V
Leistung - max

750mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

NTMD4820NR2GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.9A
Basisteilenummer

NTMD4820N

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTMD4820NR2G" -Einziper.

NTMD6N03R2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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