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NTLUS3192PZTBG

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Spezifikation

Artikelnummer

NTLUS3192PZTBG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTLUS3192PZTBG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-UDFN (1.6x1.6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

86 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

600mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-PowerUFDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.2A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTLUS3192PZTBG" -Einziper.

NTLUS3A18PZCTCG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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