NTLJD4116NT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTLJD4116NT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTLJD4116NT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 2A, 4.5V
Leistung - max

710mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.5A

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTLJD4116NT1G" -Einziper.

NTLJF3117PTAG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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