NTD4863NAT4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTD4863NAT4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTD4863NAT4G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 9.2A (Ta), 49A (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.2A (Ta), 49A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTD4863NAT4G" -Einziper.

NTD4860NA-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 65A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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