NTD3055L104-1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTD3055L104-1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTD3055L104-1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

104 mOhm @ 6A, 5V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta), 48W (Tj)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTD3055L104-1G" -Einziper.

NTD3055-150T4

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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