NTB25P06

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Spezifikation

Artikelnummer

NTB25P06
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

NTB25P06.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

82 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

120W (Tj)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

27.5A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTB25P06" -Einziper.

NTB30N06LT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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