NSV60601MZ4T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSV60601MZ4T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSV60601MZ4T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 600mA, 6A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

-
Leistung - max

800mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

NSV60601MZ4T1GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

6A
Basisteilenummer

NSS60601

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NSV60601MZ4T1G" -Einziper.

NSV50010YT1G

Beschreibung: IC REG CCR 50V 10MA SOD123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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