NSTB1002DXV5T1

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Spezifikation

Artikelnummer

NSTB1002DXV5T1
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V, 40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Supplier Device-Gehäuse

SOT-553
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-553
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA, 200mA

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSTB1002DXV5T1" -Einziper.

NST846BF3T5G

Beschreibung: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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