NSS30201MR6T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSS30201MR6T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 30V 2A TSOP-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSS30201MR6T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

30V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

75mV @ 1mA, 100mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

-
Leistung - max

535mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6
Andere Namen

NSS30201MR6T1G-ND
NSS30201MR6T1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

300MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 2A 300MHz 535mW Surface Mount 6-TSOP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

300 @ 500mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

2A
Basisteilenummer

NSS30201

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NSS30201MR6T1G" -Einziper.

NSS3-BK

Beschreibung: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"

Hersteller: Bussmann (Eaton)

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