NSBA114EF3T5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSBA114EF3T5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSBA114EF3T5G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-1123
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

254mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-1123
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

35 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

NSBA1*

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSBA114EF3T5G" -Einziper.

NSBA114YDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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