NGTG30N60FLWG

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Spezifikation

Artikelnummer

NGTG30N60FLWG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 600V 60A 250W TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NGTG30N60FLWG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A
Testbedingung

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

83ns/170ns
Schaltenergie

700µJ (on), 280µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

-
Leistung - max

250W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

NGTG30N60FLWGOS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
Gate-Ladung

170nC
detaillierte Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600V 60A 250W Through Hole TO-247
Strom - Collector Pulsed (Icm)

120A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

60A

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NGTG30N60FLWG" -Einziper.

NGTD28T65F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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