NDD60N745U1T4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NDD60N745U1T4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NDD60N745U1T4G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

745 mOhm @ 3.25A, 10V
Verlustleistung (max)

84W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 6.6A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.6A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NDD60N745U1T4G" -Einziper.

NDD60N900U1-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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