MUN2213T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

MUN2213T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MUN2213T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-59
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

338mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

MUN2213T1GOSCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MUN2213

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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MUN2215T1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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