MUN2111T3G

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Spezifikation

Artikelnummer

MUN2111T3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MUN2111T3G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-59
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

230mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

35 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MUN2111

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "MUN2111T3G" -Einziper.

MUN2112T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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