MMDF2C03HDR2

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Spezifikation

Artikelnummer

MMDF2C03HDR2
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

MMDF2C03HDR2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 3A, 10V
Leistung - max

2W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

MMDF2C03HDR2OSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.1A, 3A
Basisteilenummer

MMDF2C03HD

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "MMDF2C03HDR2" -Einziper.

MMDF1N05ER2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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