MJD31CTF_SBDD001A

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Spezifikation

Artikelnummer

MJD31CTF_SBDD001A
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 100V 3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MJD31CTF_SBDD001A.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

-
Leistung - max

1.56W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

3MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount D-Pak
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

10 @ 3A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)

50µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

3A
Basisteilenummer

MJD31

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "MJD31CTF_SBDD001A" -Einziper.

MJD31CQ-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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