MBT6429DW1T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

MBT6429DW1T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MBT6429DW1T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

45V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

MBT6429DW1T1G-ND
MBT6429DW1T1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

700MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 700MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

500 @ 100µA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

200mA
Basisteilenummer

MBT6429D

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "MBT6429DW1T1G" -Einziper.

MBT8H

Beschreibung: SS TIE 450LB 7.9"

Hersteller: HellermannTyton

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