IRFR120_R4941

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFR120_R4941
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRFR120_R4941.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 5.9A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IRFR120_R4941-ND
IRFR120FS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 8.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.4A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "IRFR120_R4941" -Einziper.

IRFR12N25DTRRP

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFR120_R4941

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