IRF530N_R4942

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF530N_R4942
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRF530N_R4942.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 22A, 10V
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

IRF530N_R4942-ND
IRF530NFS
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 22A (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF530N_R4942" -Einziper.

IRF540

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRF530N_R4942

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