HUF76629D3ST-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

HUF76629D3ST-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HUF76629D3ST-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

HUF76629D3ST-F085TR
HUF76629D3ST_F085
HUF76629D3ST_F085-ND
HUF76629D3ST_F085TR
HUF76629D3ST_F085TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "HUF76629D3ST-F085" -Einziper.

HUF76639S3ST-F085

Beschreibung: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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