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HUF75339P3

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    HUF75339P3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    UltraFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 75A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    200W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 20V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    75A (Tc)
HUF75344A3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-3PN

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HUF75333P3

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HUF75339G3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

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HUF75344S3ST

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HUF75343S3

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HUF75343P3

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HUF75344P3

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HUF75345G3

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HUF75343S3S

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HUF75337P3

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HUF75329S3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

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HUF75343G3

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HUF75333S3ST

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HUF75332P3

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