H11F2SD

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Spezifikation

Artikelnummer

H11F2SD
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11F2SD.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Ausgabe (max)

30V
Spannung - Isolation

5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V
VCE Sätttigung (max)

-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

25µs, 25µs (Max)
Supplier Device-Gehäuse

6-SMD
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, Gull Wing
Ausgabetyp

MOSFET
Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator MOSFET Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

-
Stromübertragungsverhältnis (max)

-
Strom - Ausgang / Kanal

-
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

60mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "H11F2SD" -Einziper.

H11F33SD

Beschreibung: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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