H11D4

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Spezifikation

Artikelnummer

H11D4
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11D4.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Ausgabe (max)

200V
Spannung - Isolation

5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V
VCE Sätttigung (max)

400mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 5µs
Supplier Device-Gehäuse

6-DIP
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

6-DIP (0.300", 7.62mm)
Ausgabetyp

Transistor with Base
Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

10% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

-
Strom - Ausgang / Kanal

100mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

80mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "H11D4" -Einziper.

H11D3SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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