H11AA814ASD

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Spezifikation

Artikelnummer

H11AA814ASD
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11AA814ASD.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Ausgabe (max)

70V
Spannung - Isolation

5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V
VCE Sätttigung (max)

200mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-
Supplier Device-Gehäuse

4-SMD
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

2.4µs, 2.4µs
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

4-SMD, Gull Wing
Ausgabetyp

Transistor
Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

AC, DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-SMD
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

50% @ 1mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

150% @ 1mA
Strom - Ausgang / Kanal

50mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

50mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "H11AA814ASD" -Einziper.

H11AA814A300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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