H11A817AW

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Spezifikation

Artikelnummer

H11A817AW
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11A817AW.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Ausgabe (max)

70V
Spannung - Isolation

5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V
VCE Sätttigung (max)

200mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-
Supplier Device-Gehäuse

4-DIP
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

2.4µs, 2.4µs
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

4-DIP (0.400", 10.16mm)
Ausgabetyp

Transistor
Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

160% @ 5mA
Strom - Ausgang / Kanal

50mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

50mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "H11A817AW" -Einziper.

H11A817AS

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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