FW216A-TL-2W

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Spezifikation

Artikelnummer

FW216A-TL-2W
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FW216A-TL-2W.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 4.5A, 10V
Leistung - max

2.2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 4V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

35V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 4.5A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FW216A-TL-2W" -Einziper.

FW20A9R10JA

Beschreibung: RES 9.1 OHM 2W 5% AXIAL

Hersteller: Bourns, Inc.

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