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FQU10N20TU_AM002

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Spezifikation

Artikelnummer

FQU10N20TU_AM002
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQU10N20TU_AM002.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 51W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.6A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FQU10N20TU_AM002" -Einziper.

FQU13N10TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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