FQT3P20TF-SB82100

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Spezifikation

Artikelnummer

FQT3P20TF-SB82100
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FQT3P20TF-SB82100.pdf
2.FQT3P20TF-SB82100.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223-4
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 Ohm @ 335mA, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

FQT3P20TF-SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

670mA (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FQT3P20TF-SB82100" -Einziper.

FQT-1BK

Beschreibung: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Hersteller: Essentra Components

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