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FQP2N40-F080

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Spezifikation

Artikelnummer

FQP2N40-F080
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQP2N40-F080.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 Ohm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Ta)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FQP2N40_F080
FQP2N40_F080-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

11 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

400V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 400V 1.8A (Tc) 40W (Ta) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.8A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FQP2N40-F080" -Einziper.

FQP2P25

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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